Рентгеновской микроскоп Zeiss Xradia UltraSPX-S

Описание:

Сканирующий рентгеновский микроскоп сверхвысокого разрешения для синхротронного источника.

Серия UltraSPX-S позволяет использовать достоинства когерентного пучка рентгеновского излучения, доступного на современных синхротронных источниках, для того, чтобы довести широко распространенные рентгеновские аналитические методы, такие как рентгеновская флуоресценция, спектроскопия и дифракция, до исследований с нанометровым масштабом.

Собственные рентгеновские технологии компании Xradia с высокими рабочими характеристиками эффективно применяются в приборах UltraSPX-S для создания сфокусированного пучка рентгеновского излучения с поперечным сечением до 30 нм. Этот рентгеновский зонд производит растровое сканирование всего образца, результатом которого является изображение с высоким разрешением, содержащее информацию о распределении элементов, химическом или кристаллографическом составе в зависимости от энергии фотонов и методики детектирования. Кроме того, теперь стала доступна работа с криогенными образцами для уменьшения последствий радиационных повреждений органического материала.

Применение:

• Исследования в области науки о жизни
• Характеризация полупроводников
• Расширенный анализ материалов
• Исследования в области геологических и экологических наук

Преимущества:

• Структурная, химическая, элементная и кристаллографическая информация на наноуровне
• Ультравысокое оптическое разрешение до 30 нм
• Методики флуоресценции, абсорбции, ближней тонкой структуры спектров рентгеновского поглощения и фазового контраста
• Cтабильность при разрешении менее 5 нм 
• Открытая архитектура системы позволяет легко менять конфигурации в зависимости от требований пользователя
• Специализированная система транспортировки проб в криогенном состоянии для минимизации радиационных повреждений органических образцов (для высоко-энергетичных фотонов)
• Специализированная система для работы с образцами в криогенном состоянии для минимизации радиационных повреждений органического материала (версия для высоко-энергетичных фотонов).

Характеристики

• Лучшее разрешение 30 нм
• Диапазон энергий 5 – 20 кэВ (модель UltraSPX-S200)/ 200 – 3000 кэВ (модель UltraSPX-S220)
• Давление в камере атмосферное или вакуум