Описание:
Verios – это передовое семейство сканирующих электронных микроскопов FEI второго поколения с высочайшей в мире разрешающей способностью. Этот прибор обеспечивает субнанометровое разрешение в диапазоне ускоряющих напряжений от 1 до 30 кВ. Его непревзойденная работа при низких ускоряющих напряжениях обеспечивает получение чрезвычайно точных данных о структуре поверхности, недоступных при использовании других методов.
Расширение возможностей сканирующей электронной микроскопии.
На рынке полупроводников и хранения данных уникальные характеристики Verios значительно расширяют возможности растровой электронной микроскопии до 22 нм и ниже, предлагая полное решение для фундаментальных исследований, разработки процессов и материалов, контроля процессов и анализа отказов.
Система дает точные и воспроизводимые результаты измерений даже сверхчувствительных материалов. В комбинации с метрологическим программным обеспечением FEI, Verios обеспечивает точность измерений, необходимую для контроля процессов развития технологий. Verios предлагает лучшую производительность без ущерба высокой пропускной способности, гибкости образцов и простоты традиционной сканирующей электронной микроскопии.
Области применения: естественные науки, материаловедение, нанотехнологии, микроэлектроника.
Основные преимущества:
- Колонна Elstar с катодом Шоттки с монохроматором (UC) – новейшая технология, обеспечивающая лучшее в своем классе субнанометровое разрешение при ускоряющих напряжениях в диапазоне от 500 В до 30 кэВ.
- Высококонтрастные изображения за счет новых детекторов, расположенных в колонне и под линзой
- Легкий в работе. Возможность работы с разнообразными типоразмерами образцов (образцы диаметром до 200мм) и материалами (в том числе чувствительными к воздействию электронного пучка, магнитными, непроводящими)
- Интегрированные системы криогенной и плазменной очистки позволяют поддерживать образец и камеру чистыми в течение всего исследования
- Высокоточный и устойчивый предметный столик (размер 100 x 100 мм) с пьезоэлектрическим приводом в большой аналитической камере
- Использование энергий пучка у поверхности образца вплоть до 20 эВ с получением изображений высокого разрешения для точного снятия характеристик поверхности.
- Полный спектр возможностей анализа и прототипирования.
Технические характеристики:
|
Характеристика |
Значение |
|
Разрешение (высокий вакуум) |
- 0,6 нм при 15 кВ |
|
Диапазон энергий электронов у поверхности образца |
20 эВ – 30 кэВ |
|
Ток зонда |
от 0,8 пА до 100 нA |
|
Поле зрения |
От ≤ 100 нм до 1,5 мм |
|
Столик: |
|
|
- Тип |
Эвцентрический гониометрический столик, 5-осевой моторизованный |
|
- Ход по осям X и Y |
100 мм |
|
- Воспроизводимость результатов по осям X и Y |
0,5 мкм |
|
- Точность (по осям X и Y) |
< 1,5 мкм |
|
- Ход по оси Z |
≥ 20 мм |
|
- Поворот |
n x 360° |
|
- Наклон |
-10° …+60° |
|
Количество портов |
21 |
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | FEI |
| Страна производитель | США |
| Состояние | Новое |
- Цена: Цену уточняйте


Отправка с 15 мая 2026