Начать продавать на Deal.by
Корзина
Нет отзывов, добавить
+375 (29) 370-80-76
Корзина

Cистема травления кремния ICP- RIE-600iPC

Cистема  травления кремния ICP- RIE-600iPC
  • Под заказ
clockОтправка с 13 июня 2026

Цену уточняйте

+375 (29) 370-80-76

Заказ только по телефону

Cистема травления кремния ICP- RIE-600iPCCистема  травления кремния ICP- RIE-600iPC
Цену уточняйте
Под заказ
+375 (29) 370-80-76
Описание
Характеристики
Информация для заказа

Описание:

RIE-600iPC – система травления с использованием индуктивно-связанной плазмы способная генерировать плазму с очень высокой плотностью. Система имеет вакуумную систему откачки с высокой проводимостью и в то же время с точным контролем давления, что позволяет проводить процессы как при низком, так и при высоком давлении в реакторе, больших и маленьких потоках газов. Более того, использование патентованной ВЧ катушки можно поддерживать горение плазмы при закачке больших ВЧ мощностей и при высоком давлении в реакторе. Применяемые совместно эти особенности позволяют пользователю использовать очень широкое процессное окно и подходит для высокоскоростного травления карбида и оксида кремния (SiC и SiO2).

 

Применение:

  • Траншеи, сквозные отверстия, формирование масок SiO2 при производстве мощных SiC устройств.
  • Производство оптических компонент (оптические волноводы и микролинзы).
  • Производство микроканалов (микроотверстий).
  • Производство сенсоров.

 

Преимущества систем SAMCO:

  • Наиболее быстрые в индустрии скорости травления (свыше 50 мкм/мин)
  • Высокая селективность, сыше 250:1 (Si к фоторезисту)
  • Однородность травления ± 5% или лучше (на подложках до 200 мм в диаметре)
  • Высокое аспектное соотношение (лучше чем 40:1)
  • Низкая шероховатость стенок, гладкий профиль стенок (неоднородности шероховатости менее чем 0,1 мкм)
  • Патентованная технология против подтрава стенок на дне траншей (структур) с применением двух ВЧ мощностей при травлении структур SOI.
  • Уникальная особенность «анти-наклон», которая позволяет получать высокую однородность
  • Электростатический прижим подложек и охлаждение обратной стороны гелием (для более точного контроля температуры подложек)
  • Смена ICP-источника (головы) для травления DRIE или SiO2
Основные атрибуты
Производитель Samco
Страна производительЯпония
  • Цена: Цену уточняйте