Станок для лазерной резки полупроводников ультрафиолетовым лазером Han’s Laser DSI-SC708
- Под заказ
Отправка с 29 июня 2026Цену уточняйте
+375 (29) 370-80-76
Станок для лазерной резки полупроводников ультрафиолетовым лазером Han’s Laser DSI-SC708
Цену уточняйте
Под заказОписание
Характеристики
Информация для заказа
Описание
В основном используется для резки материалов, таких как Si, SiC, GaN, Molded WLP и т.д.
Особенности изделия:
- Технология лазерной резки по нескольким точкам. Качественная обработка специфических материалов (кремниевая подложка).
- Функция автоматического нанесения клея, чистки.
- Функция автоматической загрузки и разгрузки, функционирование в полностью автоматическом режиме.
Параметры оборудования:
- Максимальная выходная мощность лазера: 15 Вт (менее 50 кГц)
- Частота повторения: 0-500 кГц (основная рабочая частота 50 кГц)
- Диаметры кремниевых полупроводниковых пластин, подходящих для резки: 6 дюймов, 8 дюймов и 12 дюймов
- Максимальный диапазон резки по оси X, Y: 400 × 400 мм
- Точность повторного позиционирования по оси X, Y: ±1мкм, прямолинейность по оси X: ± 1 мкм/300 мм
- Точность повторного позиционирования по оси Z: ± 1 мкм
- Угол поворота по оси θ: 120 °; коэффициент разрешения вращение вокруг оси θ: 1arc-sec.
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Производитель | HAN |
- Цена: Цену уточняйте
