Лазерный гравировальный станок для тонких оптических пленок Han’s Laser HL1407M-P1-IR25, HL1407M-P2/P3-GR8
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Основное применение: гравировка тонкопленочных солнечных батарей из аморфного кремния.
Тип лазера: инфракрасный полупроводниковый лазер с торцевой накачкой (длина волны 1064 нм) или полупроводниковый зеленый лазер с торцевой накачкой (длина волны 532 нм).
HL1407M-P1-IR25:инфракрасный лазер, 25 Вт.
HL1407M-P2/P3-GR8:зеленый лазер, 9 Вт.
- Ширина линий гравировки: 0.03 мм.
- Глубина гравировки: 0.001-0.1 мм.
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
- Цена: Цену уточняйте


Отправка с 13 июня 2026