Лазерный гравировальный станок для тонких оптических пленок из теллурида кадмия Han’s Laser HL0806M-IR20+GR9
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Основное применение: гравировка передних электродов тонкопленочных солнечных батарей из теллурида кадмия. Гравировка покрытия из теллурида кадмия или алюминия тонкопленочных солнечных батарей.
Тип лазера: инфракрасный полупроводниковый лазер с торцевой накачкой (длина волны 1064 нм) или полупроводниковый зеленый лазер с торцевой накачкой (длина волны 532 нм).
- Ширина линий гравировки: 0.04 – 0.06 мм.
- Глубина гравировки: 0.001-0.1 мм.
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
- Цена: Цену уточняйте


Отправка с 13 июня 2026