Описание
Характеристики
Информация для заказа
Основное применение: удаление и зачистка покрывающей пленки по периметру тонкопленочных солнечных батарей из аморфного кремния, синхронная маркировка посредством двух маркировочных головок, каждая из которых осуществляет удаление пленки с левой и правой стороны листа солнечной батареи соответственно.
Тип лазера: инфракрасный полупроводниковый лазер с боковой накачкой (длина волны 1064 нм).
HS1407M-P4-2IR130: инфракрасный лазер, 130 Вт (×2).
- Ширина линий гравировки: 0.03 – 0.1 мм.
- Глубина гравировки: 0.01-1 мм.
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
- Цена: Цену уточняйте


Отправка с 13 июня 2026