Описание
MT2010 – это полуавтоматическая (MT3000 – полностью автоматизированная) система контроля качества полупроводниковых пластин, с помощью которой можно осуществлять контроль и анализ дефектов, измерения критических размеров (CD), степени совмещения технологических слоев на пластине, а также толщин слоев/пленок. Система работает в прямом и отраженном свете видимого, УФ, дальнего УФ и ИК излучения.
Система может быть использована для контроля качества пластин, масок, МЭМС и нестандартных подложек размером от 3” до 8”.
Контроль и анализ дефектов

- Гибкая настройка и конфигурация системы;
- Габариты пластин/МЭМС от 2” до 200 мм;
- Габариты подложек/масок от 4” до 22” (от 100 до 550 мм);
- Контроль в видимом, УФ и ИК диапазонах;
- Инспекция в произвольной последовательности;
- Самообучающаяся система;
- Лазерная автофокусировка в режиме реального времени;
- Масштабируемая производительность;
- Масштабируемая чувствительность к дефектам;
- Последовательная инспекция от кристалла к кристаллу;
- Последовательная инспекция от пластины к пластине;
- Онлайн и оффлайн анализ дефектов;
- Классификация дефектов на базе предустановленных фильтров;
- Программное и аппаратное обеспечение конфигурируется в соответствии с требованиями заказчика.
Типовые технические характеристики
|
Размер подложки |
25х25 мм |
150х150 мм |
225х225 мм |
350х350 мм |
|
Размер дефекта |
Минуты |
|||
|
1 мкм |
1 |
30 |
70 |
160 |
|
2 мкм |
0,25 |
8 |
18 |
40 |
|
5 мкм |
0,07 |
2 |
5 |
10 |
|
Размер пластины |
125 мм |
150 мм |
200 мм |
300 мм |
|
Размер дефекта |
Минуты |
|||
|
1 мкм |
16 |
24 |
40 |
100 |
|
2 мкм |
4 |
6 |
10 |
24 |
|
5 мкм |
1 |
15 |
2,5 |
6 |
Измерение критических размеров (CD-измерения)

- Лазерная автофокусировка
- Автофокусировка изображения
- Измерения размеров по оси Z
- Измерения реперных точек и отверстий
- Измерения в условиях размытия края изображения
- Измерение элементов топологии
- Выравнивание фона изображения
- Разные алгоритмы для работы с масками и пластинами
- Множественные одновременные измерения по осям XY
- Гибкое программное обеспечение для калибровки
|
Типовые технические характеристики |
|
|
Травление пластин |
≤ 4 нм 3 σ |
|
Резист на металле |
≤ 9 нм 3 σ |
|
Маски, COG |
≤ 1 нм 3 σ |
|
Минимальный размер структуры |
0,8 мкм (в видимом излучении), 0,5 (в УФ-излучении) |
|
Производительность |
≥ 70 пластин в час |
Измерение степени совмещения технологических слоев на пластине (оверлей-измерения)
- Квадрат в квадрате
- Рамка в рамке
- L-решетка
- Круг в круге
- Измерения нестандартных структур
- Многоуровневая фокусировка
- Автоматизированный расчет и коррекция индуцированного инструментом смещения (TIS)
|
Типовые технические характеристики |
|
|
Травление пластин |
≤ 2 нм 3 σ |
|
Резист на металле |
≤ 4 нм 3 σ |
|
TIS |
≤ 3 нм 3 σ |
|
Производительность |
≥ 70 пластин в час |
Измерение толщины пленки

- Прозрачные и полупрозрачные материалы
- От 1 до 3 слоев
- Диапазон измерения толщины от 10 нм до 40 мкм
- Алгоритм с использованием быстрого преобразования Фурье (FFT)
- Программируемый диаметр пучка лазера
- Измерение в активной области интегральной схемы
|
Типовые технические характеристики |
|
|
Оксиды, нитриды |
≤ 1 нм 3 σ |
|
Резист |
≤ 3 нм 3 σ |
|
Производительность |
≥ 70 пластин в час |
Инфракрасная микроскопия и контроль дефектов

- Оптимизированная под ИК-излучение оптика
- InGaAs камера
- Измерения в отраженном и проходящем ИК / ближнем ИК свете
- Лазерная автофокусировка
- Контроль герметичности
- Контроль целостности изделия
- Контроль качества сращивания пластин
- Контроль склеенных пластин
- Контроль пластин «Кремний на изоляторе»
- Автоматическая классификация дефектов
- Онлайн и оффлайн анализ дефектов
- Оверлей-измерения слоев сверху-вниз
- Измерения критических размеров
|
Типовые технические характеристики |
|
|
Диапазон излучения |
1050-1550 нм |
|
Степень увеличения |
2,5х, 5х, 10х, 20х, 63х, 100х |
|
Производительность |
зависит от задачи |
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Германия |
| Производитель | TIS |
- Цена: Цену уточняйте


Отправка с 13 июня 2026