Начать продавать на Deal.by
Корзина
Нет отзывов, добавить
+375 (29) 370-80-76
Корзина

Установка для точного структурирования поверхности подложек методом ионно-лучевого фрезерования sciaMill 150

Установка для точного структурирования поверхности подложек методом ионно-лучевого фрезерования sciaMill 150
  • Под заказ
clockОтправка с 13 июня 2026

Цену уточняйте

+375 (29) 370-80-76

Заказ только по телефону

Установка для точного структурирования поверхности подложек методом ионно-лучевого фрезерования sciaMill 150Установка для точного структурирования поверхности подложек методом ионно-лучевого фрезерования sciaMill 150
Цену уточняйте
Под заказ
+375 (29) 370-80-76
Описание
Характеристики
Информация для заказа

Описание

Установка для точного структурирования поверхности подложек посредством ионно-лучевого фрезерования/травления (IBM/IBE) sciaMill 150.

Установка SciaMill 150 предназначена для ионно-лучевого травления и фрезерования с высокой степенью однородности одиночных подложек диаметром до 150 мм. Держатели или пластины подаются с помощью автоматической системы загрузки. Держатель подложек оснащен системой гелиевого охлаждения обратной стороны и может наклоняться и вращаться. Стандартной сферой применения установки является структурирование металлических пленок для микроэлектромеханических систем (MEMS) и датчиков.

sciaMill 150 может использоваться для ионно-лучевого травления (IBE) в среде инертных газов. В дополнение, система может применяться для реактивного ионно-лучевого травления (RIBE), а также для химически стимулированного ионно-лучевого травления (CAIBE).

Системы, главным образом, предназначены для исследований и разработок и мелкосерийного производства.

 

Технические характеристики

Держатель подложек

Водяное охлаждение, гелиевое охлаждение обратной стороны, вращение подложек от 5 до 20 об/мин, наклон без снятия с установки от 0° до 160° с шагом 0,1°

Источник ионного пучка

Источник ионов на основе электронно-циклотронного резонанса (ECR), поддерживаемый микроволновым излучением MW218-e

Нейтрализатор

Тройной нейтрализатор типа «плазменный мост» N-3DC

Типичная интенсивность съема материала

SiO2: 20 нм/мин; TiW: 12 нм/мин; Cu: 24 нм/мин

Отклонение по однородности

≤ 1,0 %

Давление на основание

< 1 x 10-6мбар

Размеры системы (Ш х Г х В)

1,70 м x 1,70 м x 1,70 м (без электрической стойки)

Конфигурации системы

1 рабочая камера, 1 загрузочный шлюз (опция)

Программный интерфейс

SECS II / GEM

Основные
Страна производительГермания
Производитель IBM
Пользовательские характеристики
Дополнительный сервисУстановка
  • Цена: Цену уточняйте