Установка для травления и покрытия подложек методом реактивного ионного травления sciaCube 300/750
- Под заказ
Отправка с 13 июня 2026Цену уточняйте
Описание
Установка для травления и покрытия подложек большой площади sciaCube 300/750 методом реактивного ионного травления (RIE) и плазменно-химического осаждения из газовой фазы (PECVD)
Установка SciaCube 300/750 предназначена для проведения плазменных процессов высокой плотности на большой площади для подложек размером до 300 мм x 200 мм (sciaCoat 300) и до 750 мм x 750 мм (sciaCoat 750). Основной сферой применения является нанесение алмазоподобного углерода (DLC) на оптические фильтры и диэлектрические пленки для неотражающих покрытий, а также травление с помощью кислорода или галогена для структурирования полупроводников и металлов.
В установке SciaCube 300/750 возбуждение плазмы осуществляется с помощью массива микроволновых источников. Держатель подложки оснащен функцией независимого ВЧ смещения. Подача различных размеров подложек осуществляется с помощью автоматической системы вакуумного загрузочного шлюза.
Свойства:
- Система для плазменных процессов большой площади и высокой плотности
- Независимое возбуждение плазмы и ВЧ смещение
- Ориентация подложек лицевой стороной вверх или вниз
- Процесс очистки камеры на месте с низким уровнем содержания остатков
Области применения
Плазменно-химическое осаждение из газовой фазы (PECVD):
- Выращивание нанокристаллических алмазных и углеродных нанотрубок
- Диэлектрические пленки (SiO2, Si3N4, a:Si, DLC) для оптических фильтров и неотражающих покрытий
- ZnO в качестве прозрачного проводящего оксидного слоя (TCO) для оптоэлектроники
Реактивное ионное травление (RIE):
- Структурирование полупроводников и металлов (например InP, Ni, Cr, Pt, ITO)
- Структурирование кварца/кварцевого стекла (CF4 / O2)
- Озолениефоторезиста (O2)
Технические характеристики
|
scia Cube 300 |
scia Cube 750 |
|
|
Размер подложки |
До 300 мм х 200 мм |
До 750 мм х 750 мм |
|
Держатель подложек |
Водяное охлаждение, ВЧ смещение |
|
|
Температура подложки |
Криогенное охлаждение до -10 °C или нагрев до максимум 700 °С |
Криогенное охлаждение до -10 °C или нагрев до максимум 850 °С |
|
Источник плазмы |
Линейный микроволновый источник на основе электронно-циклотронного резонанса (ECR) PL400 и/или параллельные ВЧ электроды |
Линейный микроволновый источник на основе электронно-циклотронного резонанса (ECR) PL1300 и/или параллельные ВЧ электроды |
|
Источник питания |
СВЧ мощность: макс. 9000 Вт ВЧ мощность: макс. 600 Вт |
СВЧ мощность: макс. 48 Вт, ВЧ мощность: макс. 3 кВт |
|
Базовое давление |
< 1 x 10-6 мбар |
|
|
Размеры системы (Ш х Г х В) |
1,90 м x 1,30 м x 2,20 м (без электрической стойки и насосов) |
3,70 м x 3,40 м x 2,20 м (без электрической стойки, насосов и системы загрузки) |
|
Конфигурации системы |
1 рабочая камера, 1 загрузочный шлюз |
1 рабочая камера, 1 загрузочная система, 1 загрузочный шлюз |
|
Программный интерфейс |
SECS II / GEM |
|
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Германия |
| Пользовательские характеристики | |
| Дополнительный сервис | Установка |
- Цена: Цену уточняйте
