Установка для физического осаждения из паровой фазы Applied Materials ENDURA® CUBSRFXPVD

Система Applied Endura CuBS (медный барьер / затравка) RFXPVD работает с элементами логики и памяти на 3x / 2x аппаратных компонентах и выше. Барьеры SIP (самоионизированной плазмы) EnCoReIITa(N) и технологические камеры затравки EnCoRe IIRFXCu работают по технологии физического осаждения из паровой фазы с высокой ионизацией, которая обеспечивает создание полного покрытия низкотемпературного осаждения пленки с минимальным выступом и ровной морфологией.

Возможность регулировки толщины в камере Ta (N) EnCoRe II позволяет уменьшать толщину барьера для изменения сопротивления для аппаратных компонентов 3x / 2x при одновременном уменьшении электромиграции и миграции напряжений через превосходящеенижнее и боковое покрытие. Для создания верхнего медного слоя камера EnCoRe II RFX Cu использует инновационное магнетронное движение, управление потоком и режим с высоким коэффициентом ре-эмиссии для дальнейшего улучшения конформного покрытия.

Использование этих технологий сводят на нет такие негативные явления, как свободные участки на границе пластины или дефекты, появляющиеся после химико-механической планаризации поверхности–т. е. дефекты, которые ухудшают качество заполнения металлических зазоров.

Предварительная очистка AKTIV™

Для того, чтобы сократить влияние процесса уменьшения геометрических размеров на состояние межфазной границы и для обеспечения целостности этих границ без воздействия на них фактора критических размеров или свойств материала, в Applied оснащают установки различными технологиями предварительной очистки. Система Endura CuBS RFX оснащается инновационной Aktiv [камерой или технологией] предварительной очистки, которая обеспечивает высококачественную очистку, эффективно удаляя остатки полимеров, восстанавливаяCuOи защищая пористые низкоуровневые и межуровневые диэлектрические пленки с низкой диэлектрической проницаемостью, такие как BlackDiamond® II. В отличие от обычных реактивных методов предварительной очистки, использование технологии Aktiv не приводит к существенному изменению значения k, что позволяет перейти к диэлектрикам с следующего поколения с низкой диэлектрической проницаемостью.

Система Endura CuBS RFXPVD последовательно осаждает барьер Ta (N) / Ta, наосаждённый слой Cu в условиях высокого вакуума. Интеграция всего процесса, включая систему предварительной очистки Aktiv на платформе Endura обеспечивает отличную адгезию пленки и отсутствие оксидов на межфазной границе, сохраняя при этом целостность значения k при низком сопротивлении и высокой надежности изделия.