Система травления в парах плавиковой кислоты Idonus VPE

Описание:

Установка VPE предназначена для травления жертвенных слоев оксида кремния на пластинах в парах фтороводородной кислоты, используется в производстве полупроводниковых приборов.

Фторводородная кислота - это идеальный травитель для все типов оксида кремния, используемый в микрообработке. Широко применяется благодаря высокой скорости травления и высокой избирательности в отношении к кремнию. Типично применение систем травления в плавиковой кислоте является удаление жертвенных оксидных слоев в производстве МЭМС. Однако, что характерно для жидкофазного травителя, есть высокий риск прилипания к подложке подвижных структур из-за эффекта поверхностного натяжения.

Компания Idonus решила эту проблему, системы травления Idonus работают в паровой фазе. Система травления в парах фтороводородной кислоты превосходно приспособлена для поверхностной микромеханики, изготовления МЭМС КНИ, химической резки пластин, утонения и многих других приложений.

Травления в парах плавиковой кислоты - это практически сухой процесс. Нагревая пластину можно контролировать скорость травления. Т.к. пластины не контактирует с жидкостью становиться возможным отделение отдельных элементов МЭМС. Стандартная скорость травления 4-10 микрон/час.

Основные возможности:

• Безопасная работа с кислотой
• Возможность повторного использования кислоты
• Простой механизм фиксации пластин
• Идеальна для любого размера пластин
• Защита задней стороны пластины
• Низкая стоимость

Система доступна в различных версиях, для обработки пластин различного диаметра 4", 6" и 8".

До травления:  100 мм кремниевая  пластина со слоем термического оксида 1 микрон.	После 25 минут:  Внутренняя часть  имеет цветовую индикацию  гомогенности травления	После 30 минут:  Часть оксида стравилось.	После 35 минут:  Вес оксид был стравлен с 80% диаметра пластины

Описание установки.

Установка HF VPE состоит из реакционной камеры и держателя пластин. Нагревательный элемент встроен в держатель пластин. Он контролирует температуру поверхности изделия, подвергаемого травлению.

Фиксацию пластин можно осуществить двумя способами: 

• Пластины можно зафиксировать механически при помощи зажимного кольца. Винтовое соединение расположено на задней стенке установки, которая никогда не попадает в прямой контакт с парами кислоты. Три гайки завинчиваются легко даже в защитных перчатках. 
• Второй способ - это электростатическая фиксация. На нагревательном элементе могут фиксироваться отдельные чипы (больше 5x5 мм2), а также пластины. Большая площадь тыльной стороны пластины защищена от травления. 

Жидкая кислота заливается в реакционную камеру. Реакционная камера закрывается держателем пластин. Кислота испаряется при комнатной температуре, процесс травления начинается самопроизвольно. Ход травления контролируется температурой пластины, которая может быть задана в диапазоне от 35°C до 60 °C. 

По завершению процесса кислоту можно хранить для повторного использования в герметизирующемся контейнере. Переливание жидкости осуществляется очень просто - посредством опускания присоединенного резервуара при помощи ручки. Под действием силы тяготения кислота переливается в резервуар и закрывается клапаном. Повторное наполнение кислотой производится путем открывания клапана и поднятия ручки. Кислота перетекает в реакционную камеру. Кислота может быть использована для травления многократно, пока не возникнет необходимость ее замены.

Применение установки.

Отделение элементво МЕМС  

• Утонение структур 
• Химическая резка структур на КНИ подложке  
• Травление переднего слоя SiO2 (задний слой защищен во время процесса)

Особенности: 

Регулируемая скорость травления от 0 до 10 микрон/час