Описание:
Установка для проведения процессов быстрой температурной обработки полупроводниковых пластин в вакууме, управляемой газовой среде, в том числе восстановительной или окислительной атмосфере
Специальная конструкция камеры, выполненной из алюминия, позволяет проводить процессы температурной обработки при экстремально высоких температурах (до 1300°С) в сочетании с длительными временем отжига (до 60 мин). Установка ориентирована как на интенсивные исследования и разработки, так и на мелкосерийный выпуск продукции в составе пилотной
производственно-технологической линии. Максимальный диаметр обрабатываемой пластины составляет 150 мм.
Одной из отличительных особенностей конструкции STE RTP150 является разделение рабочих объемов нагревателя и отжигаемого образца. Нагреватель, представляющий собой систему
линейных галогеновых ламп, находится вне реактора и нагревает графитовый столик извне рабочей камеры через установленное в ней кварцевое окно. Нагреватель позволяет проводить процессы с максимальной температурой до 1300°С и максимальной скоростью достижения заданной температуры 150°С/сек. Водоохлаждаемая алюминиевая конструкция камеры позволяет проводить длительные процессы отжига. Благодаря надежной герметизации, камера предусматривает предварительное вакуумирование с последующим напуском рабочего газа.
Режимы работы
- термическая обработка в вакууме
- термическая обработка в газовой среде в режиме непрерывной продувки камеры инертным газом в ходе отжига образца
- термическая обработка в газовой среде в режиме автоматического поддержания заданного
- уровня давления внутри камеры в ходе процесса
Особенности конструкции
- алюминиевая рабочая камера с водяным охлаждением
- внешний ламповый узел нагрева с воздушным охлаждением
- предварительная откачка рабочей камеры с помощью мембранного или спирального (опция) насоса
- управление мощностью нагрева с помощью тиристорного регулятора
- автоматизация процесса откачки и газовой продувки камеры, позволяющая проведение процесса «по нажатию одной кнопки»
- возможность программирования «многостадийного» процесса отжига с помощью встроенного ПИД-контроллера
- контроль температуры рабочего столика с помощью двух термопар
- возможность установки оптического пирометра для дополнительного контроля температуры поверхности отжигаемой пластины (опция) с оптическим доступом в центр и в край обрабатываемой пластины ∅150мм
- возможность отжига в вакууме (в сочетании с опциональным усилением откачки)
- простота эксплуатации
Технические характеристики
|
Предельное остаточное давление в камере (реакторе), Торр |
<10(Б); <0,1(О) |
|
Скорость откачки вакуумного насоса, м3/час |
5 |
|
Водяное охлаждение стенок реактора |
(Б) |
|
Максимальный диаметр обрабатываемой пластины, мм |
150 |
|
Максимальная скорость нагрева, °С/сек. |
150 |
|
Максимальная температура нагрева, °С |
1300 |
|
Однородность нагрева для пластины диаметром 100 мм, % |
±1 (до 900°С) |
|
Возможность проведения процесса отжига в вакууме |
(Б) |
|
Термическая обработка в кислородной среде |
(О) – линия газоподачи с регулятором потока газа |
|
Количество термопар, шт. |
2 |
|
Оптический пирометр |
(Б) |
|
Полная автоматизация процесса |
(Б) |
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | SemiTEq |
| Страна производитель | Россия |
| Пользовательские характеристики | |
| Дополнительный сервис | Установка |
- Цена: Цену уточняйте


Отправка с 26 апреля 2026