Система плазмохимического осаждения диэлектриков в плазме индуктивного разряда SemiTEq STE ICP200D

Описание:

• Предельное остаточное давление в реакторе травления: <5•10⁶ мм.рт.ст.
• Количество одновременно обрабатываемых пластин:
  • диаметром 2’’ - 7 шт.
  • диаметром 3’’ – 4 шт.
  • диаметром 100 мм – 1 шт.
  • диаметром 150 мм – 1 шт.
  • диаметром 200 мм - 1 шт.
• Максимальная мощность Вч генератора (13,56 МГц), либо НЧ¬генератора (0,1–2 МГц) на нагреваемый столик образца с термостабилизацией: 600
• Максимальная мощность ICP генератора (13,56 МГц), Вт: 1200 (База) 2500 (Опция)
• Нагрев образцов во время процесса: 400 °С
• Однородность осаждения (травления) для пластины ∅100 мм: ±2% от центра
• Количество газовых линий в коррозионностойком исполнении в базе: 4шт.

Диаметр обрабатываемых пластин – до 200 мм, с возможностью использования образцов произвольной формы, что позволяет применять платформу как для прикладных исследований и разработок, так и для производственного выпуска продукции. Установки оснащены технологичной бесшовной алюминиевой камерой и новым шлюзовым устройством, позволяющим производить монтаж «через стену чистого помещения». Модернизированный реактор меньшего объема с продуманной системой подачи газов позволяет дополнительно оптимизировать однородность проведения процессов и снизить время откачки, что, в частности, оптимально для использования системы при проведении Boschпроцессов с быстрой сменой процессных газов. Проведение регламентных работ в реакторе стало значительно легче за счет удобного доступа ко всем внутренним узлам установки. Модернизированная конструкция рабочего стола обеспечивает эффективное гелиевое охлаждение для длительных процессов травления и прецизионный нагрев с термостабилизацией в исполнении для PECVD. Гибкие возможности для программирования технологического процесса позволяют реализовывать все современные способы нанесения диэлектриков без внесения повреждений в полупроводниковую структуру (“Low Damage Dielectric Deposition”).

В качестве возбудителя плазмы используется плоский индуктивный источник с автоматическим согласованием. Образцы находятся на нагреваемом столике, к которому может быть подведен либо RF (13,56 МГц), либо переменный потенциал, фиксированная частота которого может быть выбрана (на этапе заказа) из диапазона 100÷2000 кГц. Использование низкочастотного потенциала на нагревательном столике в режиме индуктивного возбуждения пластин дает возможность регулировать напряжение пленок диэлектриков во время их осаждения.